サムスンとSKハイニックスが今年、NANDフラッシュの生産を増やすどころか削減する...「スーパーブーム期における利益最大化」 世界のNANDフラッシュ市場の60%以上を保有するサムスン電子とSKハイニックスは、今年NANDフラッシュの生産を減らす見込みです。Nvidiaを筆頭に推論型人工知能(AI)の競争が激化する中、NANDフラッシュの供給不足(重要なコンポーネント)は、サーバー、PC、モバイル、その他の分野で価格上昇を促す可能性があります。アナリストは、これがサムスン電子とSKハイニックスの営業利益率向上に大きなプラス要因になると述べています。 市場調査会社Omdiaが20日にChosun Bizが入手したデータによると、サムスン電子は昨年のNANDウェハー生産量を昨年の490万枚から今年の468万枚にわずかに減らしました。これは、2024年のNAND収益性の急激低下により昨年実施された生産削減からのさらなる減少です。SKハイニックスも同様の道をたどると予想されており、昨年の約190万ウェハーから今年は170万本に減少する。 今年のNAND市場はAI主導の強い需要を抱えており、サムスン電子やSKハイニックスといった主要サプライヤーによる供給調整は、AIサーバーだけでなくモバイルやPCの不足をさらに悪化させる可能性が高いです。シティグループによると、今年後半に量産予定の次世代AIアクセラレータ「Vera Rubin」は、容量1,152テラバイト(TB)のソリッドステートドライブ(SSD)を搭載し、現在の「Blackwell」製品の10倍以上に相当します。今年のVera Rubin出荷量は3万台、来年は10万台と予測されており、2026年には3,460万TB、2027年には1億1,520万TBの新規需要が見込まれます。 サムスン電子とSKハイニックスのNAND生産減少は、現在最も収益性の高いDRAMに比べてNAND施設への投資優先順位が低いことが主な要因です。さらに、AIデータセンターでの大容量SSD需要が高まる中、クアッドレベルセル(QLC)技術への移行は必然的に生産損失を招きます。既存のトリプルレベルセル(TLC)技術から、AIデータセンターにより適したQLCへの切り替えには、施設の設置、安定化期間、初期収率など様々な要素が関わります。 サムスン電子とSKハイニックスの経営陣は、NAND生産を積極的に増やす理由を見出していないと報じられています。長年にわたり、NANDは収益性が低く、両社とも価格防衛に注力しなければなりませんでした。今、このメモリー・スーパー・ブームサイクルの中で、彼らは利益を最大化することを目指しています。業界関係者は「サムスン電子とSKハイニックスのNAND生産削減が意図的か自然かは別として、供給削減による利益は今年最も大きいだろう」とコメントしました。 一部のアナリストは、これらの動きが中国からの商品NAND供給増加への対応でもあると指摘しています。サムスンやSKハイニックスとは異なり、中国のYMTCは昨年からNAND市場での存在感と生産を拡大しています。これは、中国からの低価格競争に対抗するため、収益性を守るためにモバイルやPCセグメントの供給を削減しつつ、高利益率のサーバーやエンタープライズのボリュームを増やして製品ミックスを管理する戦略と解釈されています。 主要な市場調査会社は、第1四半期からNAND価格の強い上昇傾向を予測し、主要サプライヤーの生産状況を注視しています。TrendForceは、NANDフラッシュ契約価格は第1四半期に前四半期比で33〜38%上昇すると予測しており、サムスン電子とSKハイニックスが保守的な生産姿勢を維持していることに注目しています。IDCはまた、今年のNAND供給成長率が約17%と予想しており、近年の平均を下回っています。 $SNDK