中国のCXMTが記憶拡張の波に乗って...DRAMの「ビッグスリー」構造を揺るがすことができるのでしょうか? 中国のメモリメーカーであるCXMT(長新記憶技術)の存在感は拡大しています。近年急速に市場シェアを拡大する中、世界のメモリ市場にも変化をもたらすとの予測が浮上しています。 半導体業界によると、18日時点でCXMTは、生産能力拡大の一環として、合肥工場を中心に、年間ウェハー投入量を現行水準から20〜30%増加させる計画を検討しています。昨年末時点で、CXMTの生産能力は月間約25万枚とされています。 さらに、同社は最近、中国版ナスダックとして知られるSTAR市場での新規株式公開(IPO)を推進しています。目標は約295億元(約5.6兆ウォン)を調達することであり、これらの資金をメモリ容量の拡張や研究開発に活用する計画です。 これまで、中国のメモリメーカーは韓国の主要企業と数年以上の技術的ギャップがあると評価されてきました。しかし、最近の分析では、プロセス技術の格差は1世代か2世代に縮小していることが示唆されています。半導体市場は非常に技術と資本集約的な産業であるため、中国政府の強力な支援を受けて迅速に追いつくことができました。 実際、CXMTは2024年末にサムスン電子とSKハイニックスの旗艦製品であるDDR5の量産を開始し、半導体市場に衝撃を与えました。CXMTは2016年に設立された新興企業でありながら、驚くほど速いペースでその差を縮めています。 CXMTの急速な成長は、確立された「メモリビッグスリー構造(Samsung ·SK ·この現象は何十年も続いています。短期的には、CXMTが主要企業の技術的障壁を乗り越えるのは難しいものの、中国政府からの大規模な政策支援と安定した国内需要を基盤に規模を拡大すれば、世界的な「ビッグフォー」の一員として完全に加わる可能性があると指摘する分析もあります。 台湾の市場調査会社TrendForceが発表したデータによると、CXMTの世界DRAM市場シェアは2020年初頭までわずか0%圏内でした。しかし昨年末には5%に上昇し、世界で4位となりました。一部の予測では、CXMTは今年中にDRAM市場シェアを10%台まで拡大する可能性も示唆されています。 CXMTの成長は、米国が中国の先進半導体機器へのアクセスを制限している中で行われているため、さらに注目を集めています。特に、CXMTが最先端のHBMチップをファーウェイに供給できるようになれば、世界のメモリ市場に大きな変化をもたらす可能性があるという指摘が浮上しています。 業界関係者は「長新記憶の場合、年比で40〜50%以上生産能力を着実に増やしている」と述べ、「低価格の攻撃的かつ積極的な投資規模を考慮すると、グローバルメモリー四大に上がることは不可能ではない」と付け加えました。