サムスンは平沢P4の完成を全力で加速させる...成功すれば、2026年にHBMの容量を増強する唯一のメーカーとなります サムスン電子は、第6世代高帯域幅メモリ(HBM4)の開発を最近完了し、DRAM生産能力の拡大に注力し、「No.1 AIメモリ企業」の称号を取り戻す本格的な取り組みを開始しました。背景には、DS(デバイスソリューションズ)部門の経営陣が、HBMの顧客基盤がNvidiaを超えGoogle、Broadcom、Amazonなどの大手テック企業にも拡大する中で、顧客の需要に応えるために圧倒的な生産能力を事前に確保する必要があると判断したことにあります。 半導体業界によると、7日の発表によると、サムスン電子は平沢キャンパスプラント4(P4)の第4期(Ph4、生産スペース)の完成目標を、当初予定されていた2027年第1四半期から2026年第4四半期に調整するため、関連建設工事を加速させています。この計画が実現すれば、当初は来年9月にクリーンルーム建設、第4四半期に機器設置が予定されていたスケジュールは、7月にクリーンルーム建設、第3四半期に設備設置に前倒しされる可能性があります。 P4 Ph4は、HBM4の中核材料である10nmクラス第6世代(D1c)DRAMチップの大量生産を目的とした施設です。サムスン電子は当初、P4、Ph2、Ph4を鋳造(契約製造)業務に割り当てる計画でしたが、その事業の低迷により、Ph4をHBM生産に転用する決定を下しました。 証券業界は、P4 Ph4の早期完成が達成されれば、サムスン電子はサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンの三大HBM企業の中で唯一、来年中にHBM生産能力を拡大する企業になると予測しています。SKハイニックスにとっては、今年第4四半期の清州M15X工場完成と、2027年前半の龍仁クラスターで最初の工場の稼働との間には大きな時間差があります。一方、マイクロンは日本の広島工場と米国のニューヨーク工場の完成が、設備の納期遅延や規制などの問題により継続して遅れを抱えています。