Deutsche Bank: Khi công suất của TSMC đầy, Samsung và Intel dự kiến sẽ hưởng lợi từ "6 khách hàng lớn" bao gồm Apple và Nvidia Deutsche Bank đã tuyên bố trong một báo cáo nghiên cứu được phát hành gần đây rằng gã khổng lồ sản xuất chip toàn cầu TSMC đang đối mặt với một "dilemma hạnh phúc." Công suất sản xuất quy trình 3nm của họ đang cực kỳ chật chội, với các đơn đặt hàng đã được đặt kín không chỉ đến năm 2026 mà còn kéo dài đến năm 2027, khiến TSMC không còn lựa chọn nào khác ngoài việc tăng đáng kể kế hoạch chi tiêu vốn của mình. Sự tắc nghẽn công suất này đang định hình lại bối cảnh thị trường, khiến các khách hàng hàng đầu của TSMC—những người đã truyền thống phụ thuộc nặng nề vào công ty—phải nghiêm túc xem xét Samsung và Intel như những lựa chọn thay thế, Deutsche Bank lưu ý. Các nhà phân tích bao gồm Robert Sanders đã chỉ ra trong báo cáo rằng TSMC đã hướng dẫn chi tiêu vốn năm 2026 ở mức 52–56 tỷ USD. Điều này vượt xa ước tính của Deutsche Bank là 50 tỷ USD và đồng thuận của thị trường là 46 tỷ USD. Các nhà phân tích đánh giá rằng hướng dẫn này thực sự thừa nhận rằng kế hoạch chi tiêu vốn năm 2025 của TSMC là "quá bảo thủ" so với nhu cầu AI bùng nổ. Tình hình hiện tại không chỉ đơn thuần là nhu cầu vượt quá cho công suất đóng gói CoWoS; nó phản ánh một sự thiếu hụt cung nghiêm trọng trong công suất sản xuất wafer cốt lõi—đặc biệt là quy trình 3nm. Sự mất cân bằng cung-cầu này đang tạo ra một hiệu ứng tràn thị trường trực tiếp. Mặc dù Samsung và Intel có "kỷ lục không ổn định" trong hiệu suất sản xuất, Deutsche Bank nhấn mạnh rằng "6 khách hàng lớn"—Apple, Nvidia, AMD, Broadcom, Qualcomm và MediaTek—không còn lựa chọn nào khác ngoài việc tìm kiếm công suất sản xuất thay thế. Do đó, thị phần của TSMC trong thị trường sản xuất chip tiên tiến dự kiến sẽ giảm từ 95% xuống 90%. Deutsche Bank lưu ý rằng, với việc TSMC đã đặt kín công suất cho năm 2026 và đơn đặt hàng kéo dài đến năm 2027, sự gia tăng chi tiêu mạnh mẽ là không có gì ngạc nhiên. Trước đây, sự tắc nghẽn ban đầu từ sự bùng nổ nhu cầu AI tập trung vào đóng gói CoWoS, khiến một số đơn hàng tràn sang ASE và Amkor. Tuy nhiên, tình hình hiện nay đã trở nên nghiêm trọng hơn, với nhu cầu vượt xa cung—đặc biệt là đối với quy trình 3nm. Theo ước tính của Deutsche Bank, TSMC dự kiến sẽ mở rộng công suất sản xuất hàng tháng 3nm lên 190.000 wafer (190k wpm) vào cuối năm 2026, nhưng điều này vẫn sẽ không đủ đáp ứng nhu cầu của khách hàng. Deutsche Bank nhận xét, "Thật bình thường khi khách hàng muốn nhiều công suất hơn dưới tỷ lệ sử dụng cao của TSMC, nhưng mức độ này là chưa từng có." Do sự chật chội công suất cực độ, TSMC đang áp dụng một chiến lược quyết liệt hơn. Deutsche Bank báo cáo rằng TSMC đang trì hoãn các dự án phát triển 3nm mới và khuyến khích khách hàng chuyển nhiều sản phẩm sản xuất hàng loạt năm 2027/2028 sang quy trình 2nm GAA. Đồng thời, TSMC đang sử dụng các chiến lược giá để "tạo điều kiện" cho sự chuyển đổi này, điều này dự kiến sẽ được phản ánh trong hướng dẫn mạnh mẽ cho Q1 2026. Trong cuộc cạnh tranh công suất này, Deutsche Bank phân tích rằng nhà máy Taylor của Samsung (SF2P) có khả năng được ưa chuộng hơn Intel. Báo cáo cho biết, "Đối với các khách hàng tìm kiếm nguồn cung thay thế, nhà máy Taylor của Samsung có khả năng trở thành điểm đến đầu tiên." Cụ thể, Qualcomm và AMD là những người có khả năng xem xét Samsung nhất, trong khi các cuộc thảo luận trước đó cho thấy rằng Apple và Broadcom đang đánh giá Intel. Tuy nhiên, nhà phân tích đã thêm rằng mặc dù Intel có tiềm năng với quy trình 14A của mình, "vẫn còn nhiều việc phải làm." $TSM $INTC

Vâng, tôi đang tìm hiểu kiến trúc dựa trên cả ICMS và Enfabrica. Đây là một loại thỏa thuận Mellanox. Nhưng NVLink sẽ bị tắc nghẽn xung quanh GPU, CPU và DPU. Nvidia cần đơn giản hóa việc truyền dữ liệu cho kv và trọng số.

Tôi nghĩ HBF bị đánh giá quá cao Ở một số nơi, nếu thực hiện một số sửa đổi phần mềm đáng kể, nó có thể không phải là không thể sử dụng, nhưng việc thay thế HBM hay quy mô thị trường lớn hơn là điều không tưởng Như đã viết ở đây, nếu chỉ đọc gần như không có gì khác ngoài việc đó, thì nó sẽ trở thành độ thiên lệch và trọng số của cùng một mô hình chứ không phải kv, nhưng như vậy thì sẽ rất khó sử dụng [Tin tức] Theo các chuyên gia, HBF có khả năng được tích hợp vào GPU NVIDIA vào năm 2027-28, và thị trường có thể vượt qua HBM vào năm 2038 Với sự gia tăng khối lượng công việc AI, việc phổ biến Flash băng thông cao (HBF) đang tăng tốc, và các chuyên gia dự đoán rằng việc thương mại hóa sẽ diễn ra sớm hơn dự kiến. Theo Sisa Journal, giáo sư Kim Jong-ho của KAIST, người được biết đến rộng rãi với danh hiệu "cha đẻ của HBM", đã gợi ý rằng Samsung Electronics và SanDisk có kế hoạch tích hợp HBF vào các sản phẩm của NVIDIA, AMD và Google vào cuối năm 2027 hoặc đầu năm 2028. Như báo cáo đã chỉ ra, giáo sư Kim cho biết việc phát triển HBM mất hơn 10 năm, trong khi các công ty đã bắt đầu phát triển HBF bằng cách tận dụng chuyên môn về quy trình và thiết kế đã tích lũy từ HBM, do đó HBF có khả năng được thương mại hóa nhanh hơn nhiều. Hơn nữa, ông Kim dự đoán rằng việc áp dụng HBF sẽ mở rộng vào khoảng thời gian ra mắt HBM6, và vào khoảng năm 2038, thị trường HBF có thể vượt qua HBM. Theo ông Kim, HBM6 không phải là một ngăn xếp bộ nhớ đơn lẻ mà là nhiều ngăn xếp được kết nối với nhau như một khu chung cư. Khi HBM dựa trên DRAM đối mặt với giới hạn dung lượng, ông Kim cho rằng HBF dạng ngăn xếp NAND sẽ xuất hiện để lấp đầy khoảng trống đó. Vai trò của HBF trong suy diễn AI và kiến trúc hệ thống Về vai trò của HBF trong khối lượng công việc AI, ông Kim giải thích rằng GPU sẽ lấy dữ liệu biến từ HBM trong quá trình suy diễn, xử lý và tạo ra đầu ra. Ông Kim cho rằng trong tương lai HBF sẽ đảm nhận vai trò này và cung cấp dung lượng lớn hơn nhiều để hỗ trợ các tác vụ. HBM nhanh nhưng HBF cung cấp dung lượng gấp khoảng 10 lần. Như báo cáo đã chỉ ra, ông Kim nhấn mạnh rằng HBF hỗ trợ chu kỳ đọc không giới hạn, trong khi chu kỳ ghi bị giới hạn ở khoảng 100.000 lần, do đó phần mềm của các công ty như OpenAI và Google cần được tối ưu hóa cho các thao tác tập trung vào đọc. Ông Kim cũng cho biết quy trình cung cấp dữ liệu cho GPU hiện tại bao gồm một mạng lưu trữ, bộ xử lý dữ liệu và một đường truyền dài qua pipeline GPU. Trong tương lai, ông hình dung một kiến trúc được hợp lý hóa có thể xử lý dữ liệu trực tiếp phía sau HBM. Cấu trúc này, dự kiến sẽ được thực hiện trong HBM7, cũng được gọi là "nhà máy bộ nhớ". Samsung và SK Hynix thúc đẩy phát triển HBF Như báo cáo đã nhấn mạnh, SK Hynix dự kiến sẽ công bố phiên bản thử nghiệm HBF vào cuối tháng này. Ngoài ra, Samsung Electronics và SK Hynix đã ký một biên bản ghi nhớ (MOU) để thúc đẩy tiêu chuẩn hóa HBF với SanDisk, và hiện đang tiến hành nỗ lực đó thông qua một liên minh hợp tác. Cả hai công ty đang tích cực phát triển sản phẩm HBF và nhắm đến việc ra mắt thị trường vào năm 2027. Theo các nguồn trong ngành được trích dẫn trong báo cáo, HBF được ước tính có thể đạt băng thông vượt quá 1.638GB/giây, điều này là một bước nhảy vọt lớn so với SSD tiêu chuẩn cung cấp khoảng 7.000MB/giây qua NVMe PCIe 4.0. Về dung lượng, HBF dự kiến sẽ đạt tối đa 512GB, vượt xa 64GB của HBM4.